Национальный технический университет Украины «Киевский Политехнический Институт». XXX Международная Научно-техническая конференция «Электроника и нанотехнологии» Использование понятия «эффективная масса» в наноэлектронике


Чтобы посмотреть презентацию с картинками, оформлением и слайдами, скачайте ее файл и откройте в PowerPoint на своем компьютере.
Текстовое содержимое слайдов презентации:

Национальный технический университет Украины«Киевский Политехнический Институт»XXX Международная Научно-техническая конференция «Электроника и нанотехнологии» 13-15 апреля, 2010Киев, УКРАИНА Использование понятия «эффективная масса»в наноэлектронике Москалюк В.А., к.т.н.Федяй А.В.кафедра ФБМЭ НТУУ «КПИ» Задачи доклада а) унифицировать ряд понятий, производных от понятия «эффективной масса» (введение в суть вопроса)б) на конкретном примере показать, как правильное использование понятия эффективной массы в наноэлектронике позволяет получить адекватные результаты при моделировании такой наноразмерной структуры, как резонасно-туннельный диод. вводится для отдельно взятой долины, изоэнергетические поверхности в которых есть эллипсоиды вращения мера инертности при движении в каком-то одном определенном направлении ([001], [111], …) Понятия, производные от тензора эффективной массы Омическая эффективная масса(используется для определения удельной электропроводности)Эффективная масса плотности состояний (используется для определение эффективной плотности состояний)Поперечная / продольная эффективная масса в долине.Эффективная масса в кристаллографическом направлении (или в любом другом) или эффективная масса проводимости. Нахождение метастабильных уровней энергии AlAs/GaAs РТД(перенос заряда в направлении [001]) а) б) в) Вид изоэнергетических поверхностей GaAs и AlAs, соответствующих Г- (а), X- (б) и L-долинам (в) Зонная диаграмма РТД подолинно Г Г - долина GaAs и AlAs невырождена и изотропна, изоэнергетические поверхности в зоне Бриллюэна практически сферические. Поэтому эффективная масса в любом направлении одинакова, в том числе и в направлении z. X Изоэнергетические поверхности в X-долине GaAs и AlAs представляют собой 6 эллипсоидов вращения (рис. 3, в), большие оси четырех из которых расположены перпендикулярно направлению [001]. Эффективная масса электрона в этих четырех долинах в направлении [001] равна поперечной. Большие оси двух оставшихся долин совпадают с направлением [001], поэтому эффективная масса в них равна продольной. L Изоэнергетические поверхности в L-долинах GaAs и AlAs представляют собой 8 эллипсоидов вращения, каждый из которых лишь наполовину находится в первой зоне Бриллюэна (см. рис. 3, б). Длинные оси четырех этих эллипсоидов расположены в направлениях, эквивалентных [111], симметрично под углом относительно направления [001], который равен: 0.97 1.3 0.22 0.23 0.367 0.21 0.15 0.0754 1.32 1.9 0.15 0.067 AlAs GaAs Продольные/поперечные массы и найденные массы в направлении [001] 0.3036, 0.3446, 0.4126, 0.4964 4 GaAs L 0.2606, 0.3216, 0.4178 3 AlAs 0.3029, 0.4550 2 AlAs Х 0.0442, 0.1787, 0.4068, 0.7256 4 GaAs Г Собственные энергии в соответствующих метастабильных состояниях (относительно дна G-долины GaAs), эВ Количество метастабиль-ных уровней Материал, образующий квантовую яму Долина Найденные энергетические уровни Настоящая работа vs. WinGreen СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕmail to: [email protected]

Приложенные файлы

  • ppt 2469320
    Размер файла: 2 MB Загрузок: 0

Добавить комментарий